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激光加熱基座晶體生長爐（LHPG）具有無坩堝、無污染、溫度梯度大、生長速度快、適合生長高熔點的高質量晶體等*勢。

微波等離子化學氣相沉積技術（MPCVD）制造的微波等離子化學氣相沉積系統, 通過等離子增加前驅體的反應速率，降低反應溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結晶形態好的高質量硬質薄膜和晶體。

德國SciDre公司推出的高壓氧氣氛退火爐溫度可達850°C，壓力可達150個大氣壓。可用于高壓晶體生長的料棒前處理。也可用于含氧晶體的高溫退火處理。

四電弧高溫單晶生長爐是電弧加熱的高溫材料合成方法，非常適合生長化學性質活躍但熔點高（般在3000攝氏度左右）的金屬間化合物，包括含有稀土元素（或者金屬鈾）的二元及四元金屬間化合物等合金單晶。

德國SciDre 高溫高壓光學浮區爐能夠提供2200–3000℃以上的生長溫度，晶體生長腔壓力可達300Bar，甚至10-5mBar的高真空。適用于生長各種超導材料單晶，介電和磁性材料單晶，氧化物及金屬間化合物單晶等。

日本 ADVANCE RIKO公司的桌面式超高溫高速退火爐以大功率點聚焦加熱以及超高反射效率可以在10s內將15mm×15mm的試樣加熱到1800℃，對SiC以及其它高熔點材料進行退火處理。