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聚(ju)(ju)合物薄膜厚度方向熱電性能評價系統-ZEM-d主要(yao)測量聚(ju)(ju)合物薄膜厚度方向上(shang)的塞貝克系數和電阻率(lv),可以測量的樣品(pin)薄為10μm。
日本Advance Riko公(gong)司推出的(de)納(na)米(mi)薄膜熱(re)導率測(ce)試系(xi)統-TCN-2ω是(shi)使用2ω方(fang)法測(ce)量納(na)米(mi)薄膜厚度方(fang)向熱(re)導率的(de)商用系(xi)統。與(yu)其他方(fang)法相比(bi),樣品制備(bei)和測(ce)量為(wei)簡單。
石(shi)(shi)墨烯/二維材料電學(xue)性質非接(jie)觸快(kuai)速測(ce)量系統(tong)-ONYX是款針對(dui)石(shi)(shi)墨烯、半導體薄膜(mo)和其他二維材料大面(mian)積太赫茲無損表征的測(ce)量設備(bei)。
激(ji)(ji)光(guang)閃光(guang)法(fa)熱(re)常數測量系統(tong)-TC-1200RH系統(tong)采用符合JIS/ISO標(biao)準的(de)激(ji)(ji)光(guang)閃光(guang)法(fa)測定材料的(de)三個重要(yao)熱(re)物理(li)常數:熱(re)導率(lv)(導熱(re)系數)、熱(re)擴(kuo)散系數及比熱(re)容。
大氣環(huan)(huan)境(jing)下熱(re)(re)電材(cai)料性(xing)(xing)能評(ping)估(gu)系(xi)統F-PEM可以在大氣環(huan)(huan)境(jing)下,對負荷溫差的(de)熱(re)(re)電材(cai)料產生的(de)發(fa)電量和熱(re)(re)流(liu)量進(jin)行測(ce)(ce)量,熱(re)(re)電轉換效率可以通過(guo)大發(fa)電量和熱(re)(re)流(liu)量計算(suan)出。同(tong)時,該系(xi)統還(huan)可以長時間運(yun)(yun)行熱(re)(re)循環(huan)(huan)測(ce)(ce)試,運(yun)(yun)用(yong)于熱(re)(re)電新材(cai)料的(de)開發(fa),以及商用(yong)組件(jian)在負載和溫度下的(de)耐(nai)久性(xing)(xing)測(ce)(ce)試。